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天眼查顯示，華為技術(shù)有限公司近日新增多條專(zhuān)利信息，其中1條發(fā)明專(zhuān)利名稱(chēng)為“晶圓處理設(shè)備和半導(dǎo)體制造設(shè)備”，公開(kāi)號(hào)為CN116705644A。

專(zhuān)利摘要顯示，本公開(kāi)涉及晶圓處理設(shè)備和半導(dǎo)體制造設(shè)備。該晶圓處理設(shè)備包括：晶圓支撐器件，被構(gòu)造成支撐所述晶圓;以及光源陣列，被定位在所述晶圓的支撐側(cè)方向上，并且適于對(duì)所述晶圓進(jìn)行光輻射加熱;其中所述光源陣列被配置成向所述晶圓的位于所述支撐側(cè)的表面投射用于所述光輻射加熱的多個(gè)光斑，使得至少在所述晶圓的徑向方向上的所有多個(gè)光斑彼此鄰近且互不重疊。將會(huì)理解，以這種方式，可以使得晶圓至少在徑向方向上的加熱區(qū)分度變得更加清晰，從而有助于在諸如晶圓的干燥工藝中的溫控空間分辨率的提高。

華為指出，在摩爾定律的驅(qū)動(dòng)下，芯片集成度不斷提高，單個(gè)晶體管的特征尺寸不斷縮小，器件結(jié)構(gòu)的深寬比持續(xù)增大，給半導(dǎo)體制造流程中的濕法清洗和干燥工藝帶來(lái)挑戰(zhàn)。上述專(zhuān)利的目的在于提供一種改進(jìn)的晶圓處理設(shè)備，其至少可以提高晶圓的溫控空間分辨率。