10 月 23 日消息，據 etnews 報道，三星電子和 SK 海力士向光刻機巨頭 ASML 訂購了下一代半導體設備 High-NA 極紫外光（EUV）曝光設備。繼臺積電和英特爾之后，韓國半導體制造商也在準備引進能夠實現 2nm 工藝的設備。對最先進工藝的競爭預計將加劇。
在 10 月 19 日的財報公告中，ASML 表示：“在 EUV High-NA 業(yè)務中，ASML 收到了 TWINSCAN EXE:5200 的額外訂單；目前所有的 EUV 客戶都已提交 High-NA 訂單?！?High-NA EUV 設備是將集光能力的鏡頭數值孔徑（NA）從 0.33 提高到 0.55 的設備。比現有的 EUV 設備處理更精細的半導體電路。業(yè)界大多數人認為，High-NA 設備對 2nm 工藝至關重要。
NA (NumericalAperture) 被稱作數值孔徑，是光學鏡頭的一個重要指標，一般光刻機設備都會明確標注該指標的數值。在光源波長不變的情況下，NA 的大小直接決定和光刻機的實際分辨率，也等于決定了光刻機能夠達到的最高的工藝節(jié)點。
今年 9 月，ASML 表示正在準備向客戶交付首臺 High-NA EUV 光刻機，大概會在明年某個時間點完成。
英特爾和臺積電已經正式宣布引進 High-NA 的 EUV 設備。英特爾在去年宣布整合半導體公司 (IDM 2.0) 的策略，目標是重新進入代工市場時，宣布他們是第一個下定了 High-NA EUV 設備訂單。這是為了通過搶先引入下一代設備來追趕臺積電和三星電子的系統半導體生產能力。臺積電也宣布了訂購 High-NA EUV 設備的合同，但三星電子和 SK 海力士沒有提到任何關于合同的內容。隨著 ASML 的這一宣布，韓國半導體制造商引進 High-NA 設備的做法已經正式確定。然而，三星電子和 SK 海力士表示，關于 High-NA EUV 設備的引進，“這是不能正式披露的事情”。ASML 現有的 EUV 設備客戶包括三星電子、SK 海力士、英特爾、臺積電、美光等。
由于全球所有的半導體制造公司都向 ASML High-NA EUV 設備下了訂單，預計從 2025 年開始大規(guī)模生產時，激烈的競爭將展開。High-NA EUV 設備比目前使用的 EUV 設備更昂貴，但它可以一次性實現超精細工藝（單次圖案化），這可以極大地提高生產力。就三星電子而言，有必要在 3nm 量產后搶先確保 High-NA EUV 設備用于 2nm 量產?，F有的 EUV 設備估計需要 2000 億韓元（約 10.08 億元人民幣）至 3000 億韓元（約 15.12 億元人民幣），而韓元 EUV 設備估計需要花費 5000 億韓元（約 25.2 億元人民幣）。
據悉，ASML 此前宣布，第三季度的凈銷售額為 58 億歐元，毛利率為 51.8%，凈利潤為 17 億歐元。第四季度的凈銷售額預計將在 61 億歐元至 66 億歐元之間。
ASML 總裁兼首席執(zhí)行官 Peter Wennink 表示：“第三季度的凈銷售額為 58 億歐元，毛利率為 51.8%，高于預期。受包括通貨膨脹、消費者信心和經濟衰退的風險等全球宏觀經濟因素的影響，市場存在不確定性。雖然每個細分市場的需求動態(tài)存在分化，但我們整體的客戶需求依然強勁。這推動第三季度新增訂單金額達到約 89 億歐元，創(chuàng)下歷史新高，這其中 38 億歐元來自 EUV 系統訂單，包括 High-NA 系統訂單?！?/p>
