臺積電在第一季度財報電話會議上宣布，正在開發(fā)下一代工藝節(jié)點。據(jù)悉，該半導體巨頭計劃在今年晚些時候，投產(chǎn)首批3納米工藝，并在 2025年底前做好2納米工藝的準備。
在電話會議上，高盛公司的分析師Bruce Lee向臺積電首席執(zhí)行官魏哲家(C.C. Wei)，提及關于通貨膨脹和整個經(jīng)濟的問題。魏哲家回應稱，臺積電作為全球領先的代工企業(yè)，有能力應對市場的波動。
此外，魏哲家表示：“臺積電的N2開發(fā)正在進行中，N2將持續(xù)延續(xù)技術領先地位，支持客戶的增長。而且計劃在2025年投產(chǎn)，預生產(chǎn)將在2024年開始”。
據(jù)悉，在N2上，臺積電首次使用 GAA FET(全環(huán)繞柵極晶體管)，逐漸取代 finFET (鰭式場效應晶體管)。
今年下半年，臺積電將把N3工藝投入生產(chǎn)。一年后，或者可能更早，它將準備將N3E工藝投入生產(chǎn)，這是N3的"增強性能、功率和產(chǎn)量"版本。
臺積電預測，HPC(高性能計算)將是其今年增長最快的領域。上一季度HPC產(chǎn)生了41%的收入，僅比智能手機產(chǎn)生的40%略高。
物聯(lián)網(wǎng)和汽車排在第三和第四位，分別創(chuàng)造了8%和5%的收入。
