近日，中國(guó)信息通信科技集團(tuán)光纖通信技術(shù)和網(wǎng)絡(luò)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室聯(lián)合國(guó)家信息光電子創(chuàng)新中心（NOEIC）、鵬城實(shí)驗(yàn)室，在國(guó)內(nèi)率先完成了 1.6Tb / s 硅基光收發(fā)芯片的聯(lián)合研制和功能驗(yàn)證，實(shí)現(xiàn)了我國(guó)硅光芯片技術(shù)向 Tb / s 級(jí)的首次跨越，為我國(guó)下一代數(shù)據(jù)中心內(nèi)的寬帶互連提供了可靠的光芯片解決方案。
光芯片是光通信系統(tǒng)中的關(guān)鍵核心器件，硅光芯片作為采用硅光子技術(shù)的光芯片，是將硅光材料和器件通過特色工藝制造的新型集成電路。相對(duì)于傳統(tǒng)三五族材料光芯片，因使用硅作為集成芯片襯底，硅光芯片具有集成度高、成本低、光波導(dǎo)傳輸性能好等特點(diǎn)。目前，國(guó)際上 400G 光模塊已進(jìn)入商用部署階段，800G 光模塊樣機(jī)研制和技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)正在推進(jìn)中，而 1.6Tb / s 光模塊將成為下一步全球競(jìng)相追逐的熱點(diǎn)。
據(jù)悉，在本次 1.6Tb / s 硅基光收發(fā)芯片的聯(lián)合研制和功能驗(yàn)證中，研究人員分別在單顆硅基光發(fā)射芯片和硅基光接收芯片上集成了 8 個(gè)通道高速電光調(diào)制器和高速光電探測(cè)器，每個(gè)通道可實(shí)現(xiàn) 200Gb / s PAM4 高速信號(hào)的光電和電光轉(zhuǎn)換，最終經(jīng)過芯片封裝和系統(tǒng)傳輸測(cè)試，完成了單片容量高達(dá) 8×200Gb / s 光互連技術(shù)驗(yàn)證。該工作刷新了國(guó)內(nèi)此前單片光互連速率和互連密度的最好水平，展現(xiàn)出硅光技術(shù)的超高速、超高密度、高可擴(kuò)展性等突出優(yōu)勢(shì)，為下一代數(shù)據(jù)中心內(nèi)的寬帶互連提供了可靠的光芯片解決方案，將為超級(jí)計(jì)算、人工智能等新技術(shù)、新產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展提供有力支撐。
